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厦门芯一代携Si基IGBT专利创新推动智能电力设备发展
近日，厦门芯一代集成电路有限公司因其创新技术获得一项重要专利，专利名称为“一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法”，授予公告号为CN11369019
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